JY16M N Chế độ tăng cường kênh MOSFET điện cho ứng dụng chuyển mạch điện

Thông tin chi tiết sản phẩm:

Nguồn gốc:	Trung Quốc
Hàng hiệu:	JUYI
Chứng nhận:	ISO9001,CE
Số mô hình:	JY16M

Thanh toán:

Số lượng đặt hàng tối thiểu:	50 chiếc (mẫu có sẵn)
Giá bán:	USD0.5-USD1/PC
chi tiết đóng gói:	bộ xuất khẩu
Thời gian giao hàng:	phụ thuộc vào số lượng đặt hàng / Thương lượng
Điều khoản thanh toán:	T / T,, Western Union, Paypal
Khả năng cung cấp:	10000 CÁI mỗi tháng

Tiếp xúc

Chi tiết sản phẩm

tên:	MOSFET điện	Mô hình NO.:	JY16M
Loại:	kênh N	điện áp cực tiêu tán:	600V
Điện áp cổng nguồn:	±30V	Dòng xả liên tục:	4A (Ta=25℃）
dòng xả xung:	16A	Tiêu tán công suất tối đa:	33w
Màu sắc:	Màu đen	tạo dáng:	hình vuông
Làm nổi bật:	Chế độ tăng cường mosfet JY16M , Chế độ tăng cường mosfet kênh N , Chuyển đổi năng lượng chế độ tăng cường mosfet

Mô tả chung:

JY16M sử dụng các kỹ thuật xử lý rãnh mới nhất để đạt được mật độ tế bào cao và giảm kháng cự với xếp hạng tuyết lở lặp đi lặp lại cao.Các tính năng này kết hợp để làm cho thiết kế này một thiết bị cực kỳ hiệu quả và đáng tin cậy để sử dụng trong ứng dụng chuyển mạch điện và một loạt các ứng dụng khác.

Đặc điểm:

● 600V/4A, RDS ((ON) = 2.6Ω@VGS=10V
● Chuyển nhanh và phục hồi cơ thể ngược
● Bao bì tuyệt vời để phân tán nhiệt tốt

Ứng dụng:

● Ánh sáng
● Cung cấp điện hiệu quả cao

Mô tả mã PIN:

JY16M N Chế độ tăng cường kênh MOSFET điện cho ứng dụng chuyển mạch điện 0

Nồng độ tối đa tuyệt đối ((Ta=25°C Trừ khi có ghi chú khác):

Biểu tượng	Parameter		Đánh giá	Đơn vị
VDS	Điện áp nguồn thoát nước		600	V
VGS	Điện áp nguồn cổng		±30	V
Tôi...D	Dòng chảy liên tục	Tc=25°C	4	A
Tôi...D	Dòng chảy liên tục	Tc=100°C	2.9	A
Tôi...DM	Dòng thoát xung		16	A
PD	Phân tán năng lượng tối đa		33	W
TJTSTG	Phạm vi nhiệt độ giao điểm hoạt động và lưu trữ		-55~+150	°C
RΘJC	Kháng nhiệt-đối nối với vỏ		1.56	°C/W
RĐTJA	Kháng nhiệt-đối với môi trường xung quanh		62	°C/W

TO220F-3 Phụ lục gói:

SYMBOL	MM			INCH			SYMBOL	MM			INCH
SYMBOL	MIN	Tên	MAX	MIN	Tên	MAX	SYMBOL	MIN	Tên	MAX	MIN	Tên	MAX
A	4.40	4.57	4.70	0.173	0.180	0.185	Øp1	1.40	1.50	1.60	0.055	0.059	0.063
A1	1.27	1.30	1.33	0.050	0.051	0.052	e	2.54BSC			0.1BSC
A2	2.35	2.40	2.50	0.093	0.094	0.098	e1	5.08BSC			0.2BSC
b	0.77	-	0.90	0.030	-	0.035	H1	6.40	6.50	6.60	0.252	0.256	0.260
b2	1.23	-	1.36	0.048	-	0.054	L	12.75	-	13.17	0.502	-	0.519
C	0.48	0.50	0.52	0.019	0.020	0.021	L1	-	-	3.95	-	-	0.156
D	15.40	15.60	15.80	0.606	0.614	0.622	L2	250REF.			0.098REF.
D1	9.00	9.10	9.20	0.354	0.358	0.362	Øp	3.57	3.60	3.63	0.141	0.142	0.143
DEP	0.05	0.10	0.20	0.002	0.004	0.008	Q	2.73	2.80	2.87	0.107	0.110	0.113
E	9.70	9.90	10.10	0.382	0.389	0.398	Θ1	5°	7°	9°	5°	7°	9°
E1	-	8.70	-	-	0.343	-	Θ2	1°	3°	5°	1°	3°	5°
E2	9.80	10.00	10.20	0.386	0.394	0.401